SK Hynix 将于 2025 年采用 3 纳米工艺生产 HBM

SK 海力士计划使用台积电的 3 纳米工艺生产第六代高带宽内存芯片（HBM4），从而改变了最初使用 5 纳米技术的计划。 据《韩国经济日报》报道，这些芯片将于 2025 年下半年交付给英伟达公司，英伟达的 GPU 产品目前基于 4 纳米 HBM 芯片。

SK Hynix 于 3 月份推出的 HBM4 原型芯片在 3 纳米芯片上实现了垂直堆叠。与 5 纳米基础芯片相比，基于 3 纳米的新型 HBM 芯片预计将提高 20-30% 的性能。 不过，SK Hynix 的通用 HBM4 和 HBM4E 芯片将继续使用与台积电合作的 12 纳米工艺。

虽然 SK Hynix 的第五代 HBM3E 芯片使用的是自己的基础芯片技术，但该公司已为 HBM4 选择了台积电的 3 纳米技术。 预计这一决定将大大拉大与竞争对手三星电子的性能差距，后者计划使用 4 纳米工艺制造 HBM4 芯片。

SK hynix 目前在全球 HBM 市场处于领先地位，占有近 50% 的市场份额，其大部分 HBM 产品已交付给英伟达公司（NVIDIA）。