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消息称三星 HBM 内存芯片通过英伟达测试，将开

IT之家 7 月 4 日消息，韩媒 NewDaily 报道称，三星电子通过了英伟...

三星否认有关其HBM3e芯片通过主要客户测试的报

来源：财联社

目标2026年量产，初探台积电背面供电技术：最直

IT之家 7 月 4 日消息，根据工商时报报道，台积电提出了更完善的背面供电网络...

消息称苹果继 AMD 后成为台积电 SoIC 半导体封

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三星HBM芯片据称通过英伟达测试

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铠侠产能满载传7月量产最先进NAND Flash产品

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生产成本可降低22%，三星开发3.3D先进封装技术

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快科技7月3日消息，三星今天正式发布了其首款3nm工艺芯片——Exynos W1...