传三星HBM3E芯片存在运行过热问题，导致无法通

美光、SK海力士和三星先后在去年7月底、8月中旬、以及10月初向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E（24GB）样品。其中美光和SK海力士的HBM3E在今年初已通过英伟达的验证，并获得了订单。不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试，仍需要进一步验证，传闻主要卡在台积电（TSMC）的审批环节。

据相关媒体报道，三星的HBM3E芯片在英伟达的验证测试过程中似乎遇到一些重大问题，其中芯片运行过热就是一个大问题。据了解，三星从去年开始，就先后提供了HBM3和HBM3E给英伟达进行验证，但是一直没有通过，这意味着这些问题已经存在至少六个月的时间。

有业内人士透露，三星提供的8层堆叠和12层堆叠的HBM3E芯片都有问题，因此英伟达暂时只可能在SK海力士或者美光处下单。其中SK海力士早在2022年6月左右就开始向英伟达提供HBM3，用于H100，然后从2024年3月起又开始供应HBM3E。

暂时还不清楚三星的HBM3和HBM3E芯片到底是生产问题，还是与封装相关的问题，或者是其他问题。与SK海力士和美光相比，三星开发的时间更短一些，显得有些匆忙。此前有消息称，三星的HBM3E产品在制造工艺上有些许差异，而台积电基于的是SK海力士的检测标准，因此受到的影响。

对此三星官方表示，这些属于根据客户需求定制产品的问题，并否定了过热的说法，称测试正在按计划进行。