科技企业高管，获得3纳米芯片性能除了光刻机，

某科技企业高管表示中国芯片当前能达到7纳米工艺已是了不起的成就，研发5纳米、3纳米难度太大了，他同时指出提升芯片性能除了采用先进光刻机研发先进工艺之外，还有其他途径，这对于当下面临诸多困难的中国芯片来说应该是更现实的做法。

这方面这家企业已给出了答案，由于众所周知的原因，台积电已无法为它代工芯片，导致它不得不另寻它法获取先进芯片，它去年推出的芯片就被认为接近于7纳米工艺，而芯片性能却相当于5纳米的骁龙888。

可以说这位高管的说法并非幻想，而是有事实根据的，而且这位高管还指出除了在芯片本身找办法之外，还可以通过软件算法、芯片架构等途径提升芯片性能，这方面早期的苹果给出了答案，早期的iPhone采用由三星基于ARM的公版核心A7设计芯片，而iPhone的流畅性相当不错。

软件开发提升整体性能在军事武器、航空航天等领域更是普遍的做法，因为这类设备需要在恶劣的环境下工作，为此采用的芯片往往采用成熟工艺，因为成熟工艺的芯片可靠性更高，能更好地防辐射等，而这些设备通过开发高效的软件却能让战机拥有高效的处理能力，1977年发射的旅行者空间探测器用的芯片工艺更是老掉牙了，然而旅行者的芯片如今仍然在工作。

中国芯片行业也在积极推进芯片制造的发展，加快完善国产芯片制造产业链，不过中国芯片行业深刻明白基于现有的硅基芯片技术发展芯片，终究是跟随美国主导的技术，中国芯片行业很难超越。

为此中国芯片行业在积极开发新的芯片材料，诸如碳基芯片、碳化硅、氮化镓等芯片材料可以大幅提升芯片性能，还能降低功耗，这先进芯片材料更是能大幅提升芯片性能，对于中国芯片的发展将具有革新性的影响。

中国还在光芯片、量子芯片方面推进，其中量子芯片方面已取得突破性进展，中国已研发出多款量子芯片计算机，这些量子芯片计算机已投入使用，只不过由于量子芯片受限太多，例如需要在超低温下运行，实现商业化还需要时间。

中国芯片的这些探索，其实美国芯片也在做，美国一家新创芯片企业就研发出碳纳米管，与硅基芯片相结合，用90纳米生产的芯片性能比7纳米硅基芯片还要强50倍；美国诸多互联网企业如谷歌也在研发量子芯片。

美国掌控者硅基芯片技术，仍然积极探索新芯片技术，在于现有的硅基芯片即将达到极限，ASML认为2纳米EUV光刻机已是最后一代光刻机，业界认为1纳米是硅基芯片的极限，这都促使全球芯片行业探索新的芯片技术。

在这些新芯片技术方面，中国芯片已与美国芯片处于同一水平，中国和美国的量子计算机水平就很难说谁更领先，这为中国芯片实现超越提供了可能性。

这样的现实说明新芯片技术已看到曙光，中国芯片行业应该积极寻求绕开美国掌控的硅基芯片技术路线，从多种途径发展先进芯片技术，相信拥有巨量人才储备的中国芯片必将突出重围，甚至中国芯片可以在新芯片技术方面实现对美国芯片的弯道超车！