台积电申请具有单元区的半导体器件及其形成方法

金融界2024年6月7日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“具有单元区的半导体器件及其形成方法“，公开号CN202410178477.2，申请日期为2024年2月。

专利摘要显示，一种半导体器件的单元区包括：在衬底上形成为预定形状的有源区（AR），所述有源区包括具有第一形状并相应地具有第一和第二掺杂剂类型的第一AR和第二AR、具有第二形状并具有第二掺杂剂类型的第三AR、以及具有第三形状并具有第一掺杂剂类型的第四AR。第一AR和第二AR布置在单元区的第一区域中。第三AR和第四AR布置在单元区的第二区域中。第二区域相对于第一方向（例如，Y轴（垂直邻接结构）或X轴（水平邻接结构））与第一区域相邻。第一形状小于第二形状。第二形状小于第三形状。本申请的实施例还公开了一种形成半导体器件的方法。

本文源自：金融界

作者：情报员