可用面积达12吋晶圆3.7倍，台积电发力面板级先

6月21日消息，据日媒报道，在CoWoS订单满载、积极扩产之际，台积电也准备要切入产出量比现有先进封装技术高数倍的面板级扇出型封装技术。而在此之前，英特尔、三星等都已经在积极的布局面板级封装技术以及玻璃基板技术。

报道称，为应对未来AI需求趋势，台积电正与设备和原料供应商合作，准备研发新的先进封装技术，计划是利用类似矩形面板的基板进行封装，取代目前所采用的传统圆形晶圆，从而能以在单片基板上放置更多芯片组。

资料显示，扇出面板级封装（FOPLP）是基于重新布线层（RDL）工艺，将芯片重新分布在大面板上进行互连的先进封装技术，能够将多个芯片、无源元件和互连集成在一个封装内。FOPLP与传统封装方法相比，提供了更大的灵活性、可扩展性和成本效益。

据Yole的报告显示，FOWLP技术的面积使用率<85%，FOPLP面积使用率>95%，这使得300mm×300mm的面板比同尺寸12英寸的晶圆可以多容纳1.64倍的die。如果采用600mm×600mm的面板，那么可能将会带来近5倍的提升。

消息人士称，台积电目前的试验是采用515mm×510mm的矩形基板，可用面积将会是目前的12英寸晶圆的三倍多，矩形基板也将使得边缘留下的未用面积减少。

台积电目前主要以CoWoS为高性能计算（HPC）芯片客户提供先进封装服务，并正扩张CoWoS产能，最新的厂区落脚南科嘉义园区。

台积电的CoWoS先进封装技术能合并两组英伟达的Balckwell GPU芯片、以及八组高带宽內存（HBM）芯片，但随着单组芯片要容纳更多晶体管、整合更多HBM，产业的现行标准的12英寸晶圆可能在两年后就不足以用来封装先进芯片，因此需要产出性能比现有先进封装技术高数倍的面板级扇出型封装。

三星、英特尔也早已意识到上述问题，纷纷投入新一代的先进封装技术。三星现有自家先进封装服务包含I-Cube 2.5D封装以及X-Cube 3D IC封装、2D FOPKG封装等。对于移动手机或穿戴式装置等需要低功耗內存整合的应用，三星已提供面板级扇出型封装和晶圆级扇出型封装等平台。

英特尔也规划推出业界首款、用于下一代先进封装的玻璃基板方案，规划2026年至2030年量产，并预期需要更大体积封装、更高速应用及工作负载的数据中心、AI、GPU等领域，将是最先导入的市场。本月初，据日经新闻报导，英特尔近期和14家日本合作伙伴携手，计划租用夏普闲置的液晶面板厂作为先进半导体技术的研发中心，或将为研发面板级封装技术。

编辑：芯智讯-浪客剑