美光正在试产1γ工艺芯片，目标2025年量产EUV D

美光已开始采用1γ（1-gamma）工艺试产DRAM芯片，并计划明年进入大批量生产阶段。直到目前为止，美光所有的存储芯片都完全依赖于DUV光刻设备，反观DRAM领域主要的竞争对手三星和SK海力士，都投资了更为昂贵的EUV光刻设备。美光通过标准的DUV多重曝光，在1α和1β工艺上开发出具有性能和成本竞争力的DRAM芯片，而切换到EUV技术可以进一步提高制程节点的经济性。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在与投资者和金融分析师的电话会议上表示，虽然美光在EUV光刻设备的使用上稍微落后于三星和SK海力士，但是加入EUV技术的1γ工艺DRAM芯片试生产进展顺利，有望在2025年实现量产。

美光对1γ工艺的DRAM芯片寄予厚望，希望能借助EUV技术构建业界最小的DRAM单元，制造出业内最便宜且更节能的存储产品，这可以让其在存储芯片的竞争中获得优势。目前试产工作正在美光位于日本广岛的工厂中进行，作为试产计划的一部分，首批采用1γ 工艺的存储产品也会在这里制造。至于使用EUV光刻设备后对美光DRAM芯片的性能有多大影响，还有待观察。

事实上，美光使用ASML的EUV光刻机已经有一段时间了。美光一直测试这些工具，以EUV替代1α和1β工艺上部分使用DUV的环节，并逐步进行调整，以提升良品率。现在美光已积累了足够的经验，开始准备将EUV光刻机投入到大规模生产中。