三星首款3nm可穿戴芯片发布：性能提升370%，采

7月4日消息，虽然自研的3nm手机芯片Exynos 2500似乎因为良率问题出现了推迟，但是近日三星电子通过其官网正式正式推出了旗下首款3nm GAA制程的可穿戴设备芯片Exynos W1000。

据介绍，Exynos W1000 是三星首款采用 3nm GAA先进工艺节点的处理器。得益于其制造工艺和封装方法，芯片的性能在保持小尺寸的同时提高，可以为设备提供更多的电池空间，从而延长续航。

为了更快地在应用程序之间切换，Exynos W1000采用了全新 CPU 架构，即一个1.6GHz Cortex-A78高性能内核 + 四个1.5GHz Cortex-A55效率内核，这也是三星首款使用大核心的可穿戴处理器，并且效率内核相比上代的Exynos W930也提升了一倍，可提供令人印象深刻的性能增幅。

三星表示，新架构带来了超出预期的性能，单核和多核基准测试分别显示出高达340%和370%的改进。这种性能增幅相比上代芯片可让用户以高达2.7 倍的速度启动关键应用程序，并在多个应用程序之间流畅切换。

Exynos W1000配备了Arm Mali-G68 MP2 GPU，可以支持qHD （960x540）， 640*640分辨率。2.5D 常亮显示 （AOD） 引擎，可以用户带来增强的显示屏和具有丰富细节的表盘。对于用户的日常使用，AOD 用户界面 （UI） 的每个元素都变得非常清晰且易于检查。

Exynos W1000集成了三星的LTE Cat.4 调制解调器，最大下行速率150Mbps，最大上行速率75Mbps，支撑GPS、GLONASS、北斗、伽利略等全球导航卫星系统（GNSS）。

此外，Exynos W1000还采用扇出式面板级封装(FOPLP) ，以实现小尺寸和增强散热。同时它使用系统级封装(SiP) 方法将电源管理IC (PMIC) 集成在了SIP-ePoP封装当中，还使用嵌入式封装(ePoP) 安装DRAM和NAND闪存，从而将各种组件集成到一个薄而紧凑的封装中。内存支持低功耗的LPDDR5内存，并支持高达 32GB 的 eMMC 板载存储，虽然其比 UFS 或 NVMe 慢，但它在可穿戴设备上占用的空间更小。

三星表示，Exynos W1000 重新定义了对智能手表性能及充电频率的期望，可以让用户在更长时间地使用智能手表的同时享受卓越性能。

编辑：芯智讯-浪客剑