西安电子科技大学攻克 1200V 以上增强型氮化镓

IT之家 7 月 11 日消息，西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心研究团队在蓝宝石基增强型 e-GaN 电力电子芯片量产技术研发方面取得突破性进展。

研究团队攻克了≥1200V 超薄 GaN（氮化镓）缓冲层外延、p-GaN 栅 HEMTs 设计与制造、可靠性加固、高硬度材料封测等整套量产技术，成功开发出阈值电压超过 2V、耐压达 3000V 的 6 英寸蓝宝石基增强型 e-GaN HEMTs 晶圆。该研究发表在《IEEE Electron Device Letters》上并入选封面 highlight 论文。

▲6 英寸蓝宝石基增强型 e-GaN HEMTs 晶圆

在该项目的研究中，研究团队还成功研发了 8 英寸 GaN 电力电子芯片，首次证明了 8 英寸蓝宝石基 GaN HEMTs 晶圆量产的可行性，并打破了传统 GaN 技术难以同时兼顾大尺寸、高耐压、低成本的国际难题，被国际著名半导体行业杂志《Semiconductor Today》专题报道。

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