传三星计划采用4nm生产HBM4的逻辑芯粒

7月16日消息，据《韩国经济日报》引述未具名消息人士报导，三星准备运用4nm制程，量产第六代高带宽内存——HBM4的逻辑芯粒（logic die）。

据介绍，逻辑芯粒位于HBM堆叠的最底层，为HBM的核心元件。目前DRMA制造商已能为HBM3E等现有产品制造逻辑晶粒，但HBM4具备客户要求的客制化功能，因此需要额外导入晶圆工序。

目前，4nm是三星主打的先进制程工艺，良率超过70%。三星也运用这项制程生产其旗舰AI智能手机Galaxy S24所搭载的Exynos 2400处理器。

一名业界人士指出，“4nm制程远比7nm、8nm昂贵，但芯片性能与功耗的表现也更好。”“目前三星是以10nm制程生产HBM3E的逻辑芯粒，现在计划运用4nm来生产，是希望借此夺得HBM技术的领导地位。”

SK海力士今年4月已宣布与台积电合作，依据双方最近在台北敲定的备忘录，两家半导体巨头将合作开发第六代HBM4芯片，预计2026年量产。

编辑：芯智讯-浪客剑