三星将增加2nm工艺的EUV曝光层数30%以上，1.4nm

2022年三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上，公布了未来的技术路线图，其中2nm（SF2）工艺计划2025年开始大规模量产。三星上个月还发布公告，将与Preferred Networks Inc.合作，基于2nm GAA工艺和2.5D封装技术的Interposer-Cube S（I-Cube S），提供一站式的半导体解决方案，为对方制造AI加速器所使用的芯片。

据The Elec报道，三星将增加2nm工艺的EUV曝光层数，相比3nm工艺高出30%以上，而现有的3nm工艺的EUV曝光层数为20层。根据第三方的报告，台积电（TSMC）在N3工艺上的EUV曝光层数为25层。随着EUV曝光层数的增加，制造成本也会上升，三星2nm工艺的定价或许会有不小的涨幅。

三星于2018年在7nm工艺上首次引入EUV技术，之后的后续制程节点上，三星不断增加EUV曝光层数。目前三星还在开发1.4nm（SF1.4）工艺，计划在2027年量产，预计EUV曝光层数将超过30层。此外，三星还打算在1.4nm工艺上增加纳米片的数量，从3个增加到4个，从而进一步提升性能和功耗的表现。

除了逻辑芯片，三星还在存储芯片上采用了EUV技术，比如第六代10nm级别的1cnm工艺上，EUV曝光层数为6或7层。