三星8层堆叠HBM3E已通过英伟达所有测试，预计今

三星去年10月就向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E（24GB）样品，不过一直没有通过英伟达的测试。此前有报道称，已从多家供应链厂商了解到，三星的HBM3E很快会获得认证，将在2024年第三季度开始发货。

据The Japan Times报道，三星的HBM3E终于通过了英伟达的所有测试项目，这将有利于其与SK海力士和美光争夺英伟达计算卡所需要的HBM3E芯片订单。虽然三星和英伟达还没有最终确定供应协议，但是问题不大，预计今年底开始交付。

值得一提的是，三星还有更先进的12层垂直堆叠HBM3E（32GB）样品，正在努力通过英伟达的验证测试。有行业专业指出，SK海力士也准备了12层垂直堆叠的HBM3E产品，三星总体进度上仍然要落后一些。SK海力士一直是英伟达主要的HBM产品供应商，而美光之前已开始向英伟达供应HBM3E芯片，逐渐提升了市场占有率。

随着人工智能（AI）市场的快速增长，HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显著提高数据处理速度，已经变得越来越重要。随着三星的HBM3E开始通过英伟达的验证，预计至少20%到30%的产能转移到HBM产品，这将进一步收缩普通DRAM芯片的供应，很可能会推动DDR5内存价格上涨。