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三星去年10月就向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E(24GB)样品,不过一直没有通过英伟达的测试。此前有报道称,已从多家供应链厂商了解到,三星的HBM3E很快会获得认证,将在2024年第三季度开始发货。

据The Japan Times报道,三星的HBM3E终于通过了英伟达的所有测试项目,这将有利于其与SK海力士和美光争夺英伟达计算卡所需要的HBM3E芯片订单。虽然三星和英伟达还没有最终确定供应协议,但是问题不大,预计今年底开始交付。

值得一提的是,三星还有更先进的12层垂直堆叠HBM3E(32GB)样品,正在努力通过英伟达的验证测试。有行业专业指出,SK海力士也准备了12层垂直堆叠的HBM3E产品,三星总体进度上仍然要落后一些。SK海力士一直是英伟达主要的HBM产品供应商,而美光之前已开始向英伟达供应HBM3E芯片,逐渐提升了市场占有率。

随着人工智能(AI)市场的快速增长,HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显著提高数据处理速度,已经变得越来越重要。随着三星的HBM3E开始通过英伟达的验证,预计至少20%到30%的产能转移到HBM产品,这将进一步收缩普通DRAM芯片的供应,很可能会推动DDR5内存价格上涨。

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