三星将于2024年Q4或2025年Q1先于台积电安装High

三星电子（Samsung Electronics）将引进其首个High-NA 0.55 EUV 光刻工具，从而实现半导体制造技术的重大飞跃。该公司计划在 2024 年第四季度至 2025 年第一季度期间在其华城园区安装 ASML Twinscan EXE:5000 系统，这标志着其在开发用于逻辑和 DRAM 生产的下一代工艺技术方面迈出了关键一步。

此举使三星在采用 High-NA EUV 技术方面落后于英特尔一年，但领先于竞争对手台积电和 SK 海力士。该系统预计将于 2025 年中期投入使用，主要用于研发目的。

三星不仅关注光刻设备本身，还在围绕 High-NA EUV 技术建立一个全面的生态系统。该公司正在与几个重要的合作伙伴合作，如 Lasertec（开发用于High-NA光罩的检测设备）、JSR（开发先进的光刻胶）、东京电子（增强蚀刻机）和 Synopsys（在光罩上转向曲线图案，以提高电路精度）。High-NA EUV 技术有望在芯片制造方面取得重大进展。

与目前的低纳秒级超紫外系统相比，High-NA秒级超紫外技术具有 8 纳米的分辨率能力，可使晶体管的尺寸缩小约 1.7 倍，晶体管密度提高近三倍。然而，向高NA EUV过渡也面临着挑战。这些工具更加昂贵，每件成本高达 3.8 亿美元，而且成像区域较小。其较大的尺寸也要求芯片制造商重新考虑晶圆厂的布局。

尽管存在这些障碍，三星的目标是到 2027 年实现High-NA超高真空技术的商业应用。