全球首发！SK 海力士开发出第六代10纳米级DRAM

图片来源：摄图网

存储芯片市场正处于蓬勃发展阶段，受到数字化转型和物联网的推动，需求不断增长。随着云计算、大数据、人工智能等技术的普及，对高性能、大容量存储芯片的需求不断增加。同时，移动设备、智能家居等领域对存储芯片的需求也在逐年增长。在竞争激烈的市场环境下，存储芯片企业不断加大研发投入，推动技术创新和产品升级。

日前，韩国SK 海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb(Gigabit，千兆比特)DDR5 DRAM。由此，公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。

SK 海力士强调，随着10纳米级DRAM技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代(1b)技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。

据介绍，此次1c DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps(每秒8千兆比特)，与前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。随着AI时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，如果运营云服务的全球客户将SK 海力士1c DRAM采用到数据中心，公司预测其电费最高能减少30%。

从“SK海力士开发出第六代10纳米级DDR5 DRAM”回看存储芯片行业发展情况：

——DRAM发展概述

DRAM的技术发展路径是以微缩制程来提高存储密度。制程工艺进入20nm之后，制造难度大幅提升，内存芯片厂商对工艺的定义从具体的线宽转变为在具体制程范围内提升二或三代技术来提高存储密度。譬如，1X/1Y/1Z是指10nm级别第一代、第二代、第三代技术，未来还有1α/1β/1γ。

目前市场上DRAM的应用较为广泛的制程是2Xnm和1Xnm，三星、美光、海力士等巨头厂商均已开发出1Znm制程的DRAM。国产DRAM厂商合肥长鑫现已量产的DRAM为19nm制程，预计2021年可投产17nmDRAM，技术与国际先进的厂商还有较大的差距。

——DRAM市场规模

2016-2022年，全球DRAM市场规模波动变化，2021年销售额达940亿美元，同比增长39.47%。伴随着消费电子需求冷却，2022年销售额达到797亿美元，同比下降15.21%。

——DRAM市场竞争格局

DRAM市场集中度较高，行业主要被三星、海力士、美光三大厂商所垄断，2022年三大厂商市场份额达90%以上。

——DRAM市场趋势

与NAND闪存不同，因为DRAM比较难堆叠芯片层数，所以制造商大多只能以减少电路间距的方式，提高性能效率。拉近电路距离的好处包含提高信号处理速度、降低工作电压，以及增加每个硅片的DRAM产量。这也是各大制造商展开纳米竞争的缘由。

根据Yole数据，2022年全球DRAM实现销售额797亿美元;2016-2022年市场年均复合增长率为11.8%。据此，前瞻保守估计未来5年DRAM市场规模将以12%左右的增长率增长，到2028年市场规模将达到1438亿美元左右。

SK海力士首席执行官郭鲁正表示，由于HBM等高性能存储器芯片的强劲需求，存储器芯片市场还将维持一段时间的乐观态势，预计存储器芯片市场将持续活跃到明年年初。SK海力士认为，随着人工智能市场的扩大，明年存储器的需求将持续增长，并制定了积极应对的战略。

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