SK海力士将在本月量产12层HBM3E芯片，为下一代A

目前AI加速卡供应紧张，而HBM内存则是AI加速卡的一个非常重要的部件，在提升AI算力起到至关重要的作用。NVIDIA现在最新的Blackwell架构AI加速卡用的是8层HBM3E内存，而SK海力士正在准备堆叠层数多达12层的HBM3E，可提供更高的内存容量和传输速度，他们计划在9月底开始量产12层的HBM3E，为下一代AI市场做准备。

根据媒体报道，SK海力士已成为首批宣布量产12层HBM3E的公司之一，并表示预计将在下个季度开始出货。12层的HBM3E容量要比现在的大得多，单颗容量可达36GB，而8层HBM3E则为24GB。新的HBM3E内存采用了TSV硅通孔技术，可实现更高的传输速率和更小的信号损失，目前12层HBM3E尚未被市场正式采用，但传闻NVIDIA会在Hopper和Blackwell架构AI GPU的高阶型号上使用它。

SK海力士在HBM上是比较领先的，据说他们的HBM生产线已经预定到2025年，预计未来几年还会持续增长，这都要归功于AI热潮到来的巨量需求。SK海力士明年还将推出新一代的HMB4内存，预计2026年量产。HBM4把存储和逻辑模块封装在一起，这是这种新内存备受期待的功能之一，这种新的内存标准可能会彻底改变市场。HBM4通常会被标记为多功能芯片，并且无需使用封装技术。

HBM市场的未来看起来非常美好，预计在未来几季将迅速发展，内存厂商会如何在这片市场竞争并攀登顶峰会很有趣，目前来看SK海力士与三星、美光等其他厂商有这巨大的差距。