点击这里获取免费大流量卡

9月9日消息,据《韩国经济日报》报道,台积电生态系统和联盟管理负责人 Dan Kochpatcharin上周在 Semicon Taiwan 2024 论坛上表示,三星和台积电正在联手生产无缓冲高带宽内存 (HBM)。

报道称,三星与台积电的合作将提供 英伟达(Nvidia)和谷歌(Google) 等客户要求的“定制芯片和服务”。

与现有型号相比,无缓冲 HBM4 的能效将提高 40%,延迟可降低 10%。HBM 已被广泛用于 AI 计算。

虽然在逻辑制程代工方面,三星是台积电的竞争对手,但台积电并不生产 DRAM。然而,在 AI 处理器协作中采用多晶粒封装或者所谓的“Chiplet”小芯片先进封装的情况正在增加,其中就包括HBM。

并且当HBM进入到新一代的HBM4时,会采用基于逻辑制程的基础芯片,使得客户可以加入自己的IP,以实现定制化,提升HBM的效率。而对于该逻辑制程的基础芯片,三星和SK海力士都将允许客户自行设计,并可选择外部的逻辑制程晶圆代工厂来生产。

相关文章《三星HBM4将转向Logic Base Die及3D封装》

消息人士也表示,虽然三星能够提供全面的 HBM4 制造服务,包括内存生产、(逻辑制程基础芯片)代工和先进封装,但它希望利用台积电的技术来获得更多客户。

此举是三星可能将是试图反击竞争对手 SK 海力士的一个举措,后者以 53% 的标价成为领先的 HBM 供应商,而三星只有 35%。

值得注意的是,SK 海力士、三星和美光都在推出 HBM3E DRAM,并计划在 2025 年推出 HBM4 格式。SK 海力士最近宣布,它打算开发下一代HBM,性能将是当前产品的20-30倍,并可提供客户定制的产品。

编辑:芯智讯-浪客剑

点击这里获取免费大流量卡

如果您喜欢本站,点击这儿可以捐赠本站
这些信息可能会帮助到你: 联系作者 | 报毒说明
修改版本软件,加群提示等均为修改者自留,非本站信息,注意鉴别