台积电将于本月接收价值4亿欧元的High NA EUV光

台湾半导体制造公司（TSMC）将于本月晚些时候从荷兰公司 ASML 接收其首台High NA（高数值孔径）EUV 芯片制造设备。High NA机器一直是台积电争议的根源，因为在今年早些时候台积电管理层抱怨设备价格昂贵后，台积电后来还是决定从 ASML 购买一台。

这些设备使用的镜头与前代 EUV 设备不同，可实现更小电路的更清晰分辨率，从而帮助芯片制造商制造先进和领先的半导体。据详细资料显示，台积电的高数值孔径EUV光刻机造价超过4亿欧元，可能需要规划交通才能将其运到该公司的工厂。

业界消息人士认为，台积电本月晚些时候收到首台High NA EUV 光刻机后，将保持对其主要合约芯片制造竞争对手三星的优势。台积电和三星是世界上仅有的两家通过这种商业模式生产尖端半导体的公司，这间台湾公司因其强大的行业合作关系和稳定的产品产量而占据了绝对的市场份额。

消息人士透露，台积电的High NA EUV 机器据称耗资超过 2 亿欧元。它的尺寸也令人头疼，因为光刻机无法在某些设施中拆卸，因为有些元件比台积电设施中的房间还要高。他们还补充说，当High NA 光刻机运抵台湾时，很可能在夜间将其运到台积电的工厂，以避免交通堵塞和可能实施的特殊路线管理计划。

此外，预计台积电还将把这台机器搬入其研发设施，以帮助开发先进的工艺技术。该公司此前曾就High NA EUV 发表过评论，声称几年内可能都不需要这些机器，因为当前一代的 EUV 光刻机至少在 2026 年之前都有能力制造先进芯片。届时，台积电计划制造其 A16 工艺技术，简单地说相当于 1.6 纳米。

ASML和台积电拒绝透露据称本月晚些时候运抵台湾的光刻机的任何细节。英特尔公司目前正为高成本而苦苦挣扎，该公司去年年底收到了第一台High NA 设备，并于今年年初首次启动了该设备。该公司在 4 月份补充说，它计划明年将这些设备投入生产，以重夺工艺领先地位。

据传，台积电的主要合约芯片制造竞争对手三星公司将于 2024 年第四季度或 2025 年收到第一台High NA EUV 光刻机。虽然这些 EUV 设备会带来一系列独特的问题，例如要求芯片制造商"拼接"半场，但它们也能提高生产率和吞吐量。提前采购这些设备可使芯片制造商在冒风险进行大规模生产或确定设备的生产时间表之前，解决复杂的技术问题。