台积电将与三星合作，开发无缓冲HBM4

今年4月，SK海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4。台积电将生产用于HBM4的基础裸片（Base Die），采用N5和N12FFC+工艺，这是双方针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片优化工作的一部分。

据TrendForce报道，台积电宣布与三星达成协议，共同开发HBM4，这将是双方首次在人工智能（AI）芯片领域展开合作。也就是说，三星与SK海力士一样，在HBM4时代做出了类似的选择。三星曾表示，为了在HBM领域取得进展，正在与各个代工厂合作，准备了20多种定制解决方案。

据了解，台积电与三星合作的是“无缓冲HBM4”，属于HBM4的一种特殊版本，取消了用于分配电压和防止电气问题的缓冲器。与现有型号相比，这一设计预计将提高40%的功率效率，减少10%的延迟。与之前的HBM产品不同，充当HBM大脑的逻辑芯片可以由其他代工厂生产，而不再局限于存储器制造商。

虽然三星可以提供包括存储器生产、芯片代工、以及先进封装在内的全方位服务，满足客户在HBM4上的相关服务，但是通过与台积电的合作，可以利用对方的技术吸引更多客户。传闻三星还有另外一层考虑因素，就是整合英伟达和谷歌等大客户的定制要求。

按照三星的计划，将在年底前流片HBM4，为2025年底大规模生产奠定基础。三星的HBM4为12层垂直堆叠，打算选择4nm工艺用于大规模生产HBM4的基础裸片，并采用1cnm工艺制造DRAM芯片。