国产光刻机解决0到1，更先进的光刻机有了希望，

媒体报道指国内的光刻机已取得了重大进展，两款较为先进的光刻机已投入使用，这代表着一直备受困扰的国产光刻机取得重大进展，国产光刻机替代ASML的光刻机有了很大的希望，如果失去中国这个市场，ASML将难以承受。

公布的多款光刻机中，其中一款最先进的采用193纳米波长，分辨率小于65纳米，套刻精度小于8纳米；另一款光刻机采用248纳米波长，分辨率小于110纳米，套刻精度达到25纳米。

对比之下，ASML的DUV光刻机分辨率可以达到38纳米以下，缩刻精度达到5.5纳米以下；EUV光刻机的分辨率达到13纳米以下，套刻精度达到2纳米以下。

从技术方面来说，ASML确实更先进，不过对比起ASML可以卖给中国的DUV光刻机，中国的光刻机在分辨率和套刻精度方面的差距已快速缩短，这对于中国来说是从0到1的巨大进步，毕竟解决了有无问题之后，可以通过加大技术研发，进一步提升光刻机的精度，接近ASML可以卖给中国的DUV光刻机已有了很大的希望。

在先进DUV光刻机取得进展的同时，其实EUV光刻机也一直在推进，在之前哈工大等机构公布了一些相关的EUV光刻机技术之后，国内的光刻机生产企业上海微电子也申请了“EUV辐射发生器和光刻设备”，凸显出国内其实一直在稳步推进研发EUV光刻机，国产EUV光刻机自研并非虚言。

国产光刻机取得的进展，对于全球最大光刻机企业ASML来说当然不是好消息，随着芯片制造逐渐接近瓶颈，光刻机的市场越来越小了，这已让ASML感到担忧。

2019年ASML量产了EUV光刻机，随后几年ASML的EUV光刻机迅速满足了三星、台积电和Intel的需求，EUV光刻机的需求就迅速下降，曾经是ASML最大客户的台积电，台积电早已停止采购EUV光刻机了，去年台积电所在的中国台湾仅给ASML贡献了6%的收入，2纳米EUV光刻机量产后，美国强势要求ASML优先供应给Intel，而台积电表示不急于采用2纳米EUV光刻机，而继续采用第一代EUV光刻机生产3纳米工艺。

EUV光刻机被限制卖给中国，这导致全球对第一代EUV光刻机的需求大降，如今ASML已有众多的第一代EUV光刻机在仓库蒙尘，都不知道还该不该继续生产。在ASML仅能卖给中国DUV光刻机的情况下，去年和今年一季度，中国市场都为ASML贡献了超过四成的收入。

如果中国的先进DUV光刻机实现大规模量产，ASML将失去四成的收入，而台积电、三星和Intel采购2纳米光刻机也将有限并且很快得到满足，ASML的未来该往何处去？ASML已表示，在2纳米光刻机之后，研发更先进的光刻机已几乎没有希望，光刻机这门生意很可能就此到了尽头。

中国在光刻机研发方面的进展，显然超过了美国的预期，美国以为阻止ASML对中国出售先进光刻机，就能阻止中国芯片的发展，然而去年以来中国手机芯片企业已重新量产5G芯片，凸显出中国芯片行业利用现有的光刻机已实现较为先进工艺的量产，再解决光刻机，实现先进工艺的国产化很快就会成为现实，追随美国的ASML却可能因此而没了活路。