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财联社11月4日讯(编辑 黄君芝)SK海力士董事长崔泰源(Chey Tae-won)周一表示,英伟达CEO黄仁勋已要求他将该公司下一代高带宽内存芯片HBM4的供货时间提前六个月。

他在首尔举行的集团AI峰会上表示,SK海力士正在与英伟达合作解决供应瓶颈问题。SK海力士去年10月曾表示,计划在2025年下半年向客户供应这种芯片。

崔泰源表示,这一时间表比最初的目标要快,但没有进一步说明。

有分析指出,黄仁勋要求加快交付速度,凸显了市场对英伟达用于开发人工智能技术的更高容量、更节能GPU的强劲需求,而这些GPU将包含新的HBM芯片。

目前,英伟达占据了全球人工智能芯片市场80%以上的份额。

此外,SK海力士在周一还透露下代产品的最新进展,该公司将于2025年初推出16层HBM3E芯片,12层HBM3E芯片已于9月开始量产。同时它计划在2028年至2030年间推出HBM5芯片。

到目前为止,SK海力士一直是高带宽内存(HBM)领域的“领头羊”。HBM芯片有助于处理大量数据,以训练人工智能技术,对英伟达的芯片组至关重要。市场需求十分火爆。不过与此同时,来自三星电子和美光科技等对手的竞争越来越激烈。

HBM是一款新型的CPU/GPU 内存芯片,简而言之就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起,实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。HBM能够实现大模型时代的高算力、大存储的现实需求。因此,HBM正逐渐成为存储行业巨头实现业绩反转的关键力量。

而且,值得注意的是,HBM产能已成为人工智能芯片供应的一个瓶颈,例如SK海力士的产能到2025年已基本“售罄”,而三星HBM产品仍在寻求获得英伟达测试通过。

不过,在前些天的财报电话会议上,三星内存业务执行副总裁Jaejune Kim表示,在与一家主要客户——英伟达资格认证过程的关键阶段,三星取得了“重要”进展。

Kim提到,三星现在预计公司将在第四季度出售其最先进的HBM3E内存芯片。他说,“英伟达作为HBM厂商的最大客户,三大存储芯片厂商都在尽全力争取其订单,而现在最先进的HBM产品就是HBM3E。”

三星电子还计划在明年下半年生产下一代HBM4产品。

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