中国芯片发力，存储芯片步入冬天，从火热到冰冻

近期天气逐渐转冷，存储芯片市场也步入冬天，据悉固态硬盘和内存条的价格都大跌，从6月份至今已价格腰斩，推动存储芯片价格大跌的原因在于中国存储芯片的技术产能都已赶上，给美韩芯片造成巨大压力。

从电商平台可以看到1TB的固态硬盘如今已低至100元，16GB内存条也跌至150元左右，较今年6月份的价格已折价一半，跌幅之凶猛，让行业瞠目结舌。

这一轮存储芯片价格大跌，在于国产存储芯片已解决了技术问题，2022年中国存储芯片率先量产232层NAND flash以及17纳米的DRAM，在技术方面超越了美韩芯片，存储芯片在国内市场的价格大跌。

中国为全球最大的存储芯片采购国，消耗了全球存储芯片三分之一，从2023年下半年以来全球存储芯片价格大涨，至今年上半年上涨了四成，这让中国多付出大约1000亿美元，而三星、SK海力士以及美光的利润因此暴涨，三星更出现利润暴涨十几倍之多，可见存储芯片价格上涨给他们贡献的利润多么丰厚。

这让中国的高科技企业承受着成本上涨之苦，如今国产存储芯片再度打破技术局限，比肩美韩芯片，产能也跟上，再次推动了存储芯片价格的下降，帮助中国的高科技行业降低成本，增强了中国高科技产业的竞争力。

存储芯片的涨价，体现了美韩存储芯片取得技术优势后暴露的贪婪本性，事实上多年前三星就曾因联合操纵存储芯片价格，被美国处以巨额罚款，由此证明了这些存储芯片企业确实有操纵存储芯片价格的图谋。

从2016年以来，中国存储芯片开始发展，到2022年中国的存储芯片在技术方面媲美美韩芯片，中国两大存储芯片企业也在那一年实现二期工程的量产，产能大幅增加两倍，大举满足了国内市场对存储芯片的需求，从而降低了存储芯片的价格。

面对中国存储芯片的崛起，美国突然出手，阻止美国、日本和荷兰的芯片设备和材料企业对中国存储芯片供应先进的芯片设备，由此导致中国的存储芯片技术研发陷入停滞，2023年美韩存储芯片量产了300层NAND flash存储芯片，而国产存储芯片却停留在232层，美韩存储芯片迅速露出獠牙，大举涨价。

不过存储芯片并不需要太先进的芯片设备，考虑到耐用性等方面的技术问题，如今存储芯片的工艺停留在10纳米以上，国产芯片设备和材料企业迅速替代进口芯片设备和材料，到了今年国产存储芯片终于再度突破技术局限，与美韩芯片处于同一水平，再次推动了存储芯片价格的下跌。

这样的事实说明了中国在任何一项技术上取得突破，海外企业就迅速降价，一方面是在成本方面难以与中国企业竞争，另一方面则是试图借此打压中国企业，毕竟他们资金实力更雄厚。

中国存储芯片和产业链合作突破桎梏，证明了美国在芯片行业的领先技术优势并非无法打破，中国拥有庞大的市场和产业基础，只要中国各个行业共同合作，打破美国在这些先进科技领域的技术垄断是完全有可能的，存储芯片的进展将鼓舞中国高科技行业的奋力前行。