俄罗斯开发自主半导体制造设备，要彻底摆脱美国

据俄罗斯媒体cnews报道，俄罗斯工业和贸易部已下达开发200毫米直径晶圆制造设备的任务，用于生产拓扑结构从180纳米到90纳米的芯片。这项工作获得了超过17亿卢布(约1773万美元)的资助。此举是部门逐步构建俄罗斯本土光刻生产线的一部分。

俄罗斯本土化芯片制造

俄罗斯工业和贸易部委托开发的这种半导体设备，用于对二氧化硅、钨和铜介电层进行化学机械抛光（CMP）。为此，拨款17亿卢布。这台设备将用于在200毫米直径硅片上制造180纳米至90纳米的芯片。

根据技术任务书，设备的国外功能原型是由美国应用材料公司（Applied Materials）生产的MIRRA Mesa Integrated System 200。工业和贸易部代表透露，设备的主要使用方包括Mikron和“НМ-ТЕХ”工厂，以及其他使用化学机械抛光（CMP）工艺的企业。

“化学机械抛光是电子元件生产中的关键工艺之一，”工业和贸易部表示，“设备的开发属于电子机械制造综合发展计划的一部分，该计划不仅涵盖光刻工艺，还旨在逐步研发贯穿电子元件生产全过程的关键设备：从半导体硅片的制造到芯片的分离。”

开发计划与功能

工作预计于2028年11月30日完成，招标于11月11日启动，执行方将在12月10日确定。这项工作是俄罗斯国家科学技术发展计划的一部分。

新设备将执行以下工艺：

- 平面化具有拓扑结构的二氧化硅介电层；

- 清洗硅片；

- 测量介电层厚度。

平面化是消除半导体硅片表面不平整的过程，对后续如离子注入等制造步骤至关重要。正如独立专家兼RUSmicro Telegram频道作者阿列克谢·博伊科所指出，均匀的表面对于确保离子精确分布和后续制造步骤非常重要。

平面化是消除半导体硅片表面不平整的过程，对后续如离子注入等制造步骤至关重要。正如独立专家兼RUSmicro Telegram频道作者阿列克谢·博伊科所指出，均匀的表面对于确保离子精确分布和后续制造步骤非常重要。

“CMP设备开发是创建本土生产设备以实现芯片制造生产线的一部分，”博伊科补充道。

根据任务书，设备组件和材料必须为本土生产，以避免对外国制造商的关键依赖。

俄罗斯微电子领域的技术推进

工业和贸易部正在进行大规模工作，推动俄罗斯国内设备生产，包括材料、设备制造以及微电子生产的加强和现代化。例如：

• 2023年3月，工业和贸易部拨款超过20亿卢布，用于开发生产芯片所需材料；

• 2024年9月，启动招标开发硅片存储容器的清洗和干燥设备，预算为4.768亿卢布；

• 2024年11月，拨款4亿卢布，用于轻掺杂单晶硅片生产技术，计划到2027年实现每年生产10万片，且成本与同类进口产品相当；

• 拨款近5亿卢布，用于开发光刻机调整设备，预计在2027年第二季度完成。

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