台积电工程师爆料：2nm良率提高了6%，可为客户

12月4日，台积电将于明年下半年开始量产其2nm（N2）制程工艺，目前台积电正在尽最大努力完善该技术，以降低可变性和缺陷密度，从而提高良率。一位台积电员工最近对外透露，该团队已成功将N2测试芯片的良率提高了6%，为公司客户“节省了数十亿美元”。

这位自称 Kim 博士的台积电员工没有透露该代工厂是否提高了 SRAM 测试芯片或逻辑测试芯片的良率。需要指出的是，台积电在今年1月份才开始提供 2nm 技术的穿梭测试晶圆服务，因此其不太可能提高之前最终将以 2nm 制造的实际芯片原型的良率，所以应该是指目前最新的2nm技术的良率改进。

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提高 SRAM 和逻辑测试芯片的良率确实非常重要，因为它可以为客户节省大量成本。

台积电的 N2 将是该公司首个使用全环绕栅极 （GAA） 纳米片晶体管的制程工艺，有望大幅降低功耗、提高性能和晶体管密度。台积电的GAA纳米片晶体管不仅比 3nm FinFET 晶体管小，而且通过提供改进的静电控制和减少泄漏而不影响性能，它们实现了更小的高密度 SRAM 位单元。其设计增强了阈值电压调谐，确保可靠运行，并允许逻辑晶体管和 SRAM 单元进一步小型化。然而，台积电将不得不学习如何生产具有可观良率的全新晶体管。

与在 N3E 制造节点上制造的芯片相比，在相同的晶体管数量和频率下，使用 N2 制造技术制造的芯片的功耗预计会减少 25% 到 30%，在相同的晶体管数量和功率下，性能会提高 10% 到 15%，晶体管密度会增加 15%。

台积电预计将于 2025 年下半年（可能在 2025 年底）开始大规模量产其N2制程。为此，台积电应该有足够的时间来提高良率和降低缺陷密度。

编辑：芯智讯-浪客剑