英特尔代工介绍多项技术进步：运用新材料，并引

在IEDM 2024大会上，英特尔代工（Intel Foundry）介绍了新的技术突破，以帮助推动半导体行业迈向未来的十年甚至更远的将来。英特尔不但展示了有助于改善芯片内部互连的新材料，还率先报告了采用先进封装的异构集成解决方案，将吞吐量提升了100倍。

英特尔代工已经确定了几条路径，以解决未来制程节点互连扩展方面的限制，包括：

• 减成法钌互连技术（subtractive Ruthenium） - 这是一种新的关键替代金属化材料，团队首次展示了一种实用、经济、大批量生产相兼容的新工艺。在间距小于或等于25nm的情况下，最高可将线间电容降低25%，有助于改善芯片内互连。

• 选择性层转移（Selective Layer Transfer，SLT） - 这是一种用于先进封装的异构集成解决方案，能将吞吐量提升高达100倍，从而实现了超快速的芯片间封装（chip-to-chip assembly）。与传统的芯片到晶圆键合相比，具有更好的灵活性，可以实现更小的芯片尺寸和更高的宽高比，允许更高的功能密度，并提供了更高效、更具成本效益的解决方案。

• Silicon RibbonFET CMOS（互补金属氧化物半导体） - 团队展示了栅极长度为6nm的Silicon RibbonFET CMOS晶体管，将栅极缩放到极限。

• 用于缩放GAA 2D FET的栅极氧化层（Gate Oxide）模块 - 为了进一步加速超越CFET的栅极全方位创新，团队展示了其在制造栅极长度为30nm的GAA 2D NMOS和PMOS晶体管制造方面的工作。

英特尔高级副总裁兼英特尔代工技术研究总经理Sanjay Natarajan表示：“英特尔代工继续帮助定义和塑造半导体行业的路线图。我们的最新突破强调了公司致力于提供在美国开发的尖端技术，使我们能够很好地帮助平衡全球供应链，并在《芯片法案》的支持下恢复国内制造业和技术领先地位。”